vdmos结构原理 VDMOS详细工作原理？

垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管VDMOS具有双极晶体管和普通MOS器件的优点。VDMOS是开关应用或线性应用的理想功率器件。VDMOS主要应用于电机调速、逆变器、不间断电源、电子开关、高保真音响、汽车电器、电子镇流器等领域。

特点：几乎无限的静态输入阻抗，非常快的开关时间，导通电阻，正温度系数，近似恒定跨导，高DV/dt。

VDMOS详细工作原理？

功率MOS采用水平结构。该器件的源极s、栅极g和漏极D均位于硅片的一侧。导通电阻大，性能差，硅片利用率低。VDMOS以二次扩散的形式利用p型区和n型区结深的差异，形成一个非常短且精确控制的沟道长度（1~3）。它可以做成垂直导电结构，可以直接安装漏极。电流容量大，集成度高。

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