A1SHB和A2SHB三极管MOS的介绍

A1SHB（PL2301）和A2SHB（PL2302）是两种常见的三极管，它们属于场效应管。这篇文章将介绍它们的特点和一些重要参数。

A1SHB（PL2301）的特点

A1SHB是一种P沟道MOSFET晶体管。其最大功耗PD为1.25W。漏源电压VDS的极限值为-20V。在TA25°C时，漏极电流ID为-2.2A；在TA70°C时，漏极电流ID为-1.4A。栅极漏电流IGSS为1100nA。

A1SHB（PL2301）实物图片

在实物图片中，我们可以看到A1SHB（PL2301）的外观和引脚布局。这有助于我们更好地理解其结构和工作原理。

A2SHB（PL2302）的特点

A2SHB是一种N沟道MOSFET晶体管。其最大功耗PD为1.25W。漏源电压VDS的极限值为20V。在TA25°C时，漏极电流ID为3.0A；在TA70°C时，漏极电流ID为2.2A。栅极漏电流IGSS为110uA。

A2SHB（PL2302）实物图片

在实物图片中，我们可以看到A2SHB（PL2302）的外观和引脚布局。这有助于我们更好地理解其结构和工作原理。

这两种三极管具有不同的特点和适用范围。了解它们的参数和性能对于电路设计和选择合适的器件非常重要。如果您需要使用P沟道或N沟道MOSFET晶体管，A1SHB和A2SHB可能是不错的选择。但是，在选择之前，请确保根据您的具体需求和电路要求来评估其性能。

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