DSP28335外扩RAM调试技巧

简介

DSP28335芯片内置了34K的16位SARAM，但在某些情况下，内存资源可能无法满足程序运行需求，因此需要外扩RAM。外扩的RAM可以映射到不同存储区域，如Zone0、Zone6和Zone7。本文将重点介绍如何将SRAM映射到Zone7，并通过CCS进行调试查看。

映射至XINTF存储区域

在对DSP28335进行外扩RAM时，需要将RAM映射到XINTF相关的存储区域中，以便让片外存储器能够被DSP直接访问。XINTF的映射存储区域如图所示，需要根据具体情况进行配置。

外部RAM选型与接口

选择适合的外部RAM对系统性能至关重要。本文选用IS61LV2516，这是一种256K的SRAM，拥有16位数据总线。根据datasheet提供的外接信号及真值表，可以准确连接外部RAM。

外扩RAM原理图

根据前述内容，我们可以绘制出DSP28335外接RAM的原理图，清晰地展示了RAM与处理器之间的连接关系，有助于后续的调试与验证工作。

CCS编译器设置

使用CCS6.0编译器进行代码编写时，需要进行相应的设置，特别是针对外扩RAM的情况。在本例中，外扩RAM接在Zone7上，因此地址编号从0x200000开始，确保设置正确以确保程序正常运行。

初始化配置与调试

在初始化阶段，需要通过InitSysCtrl函数对XINTF时钟进行配置，然后在InitXintf函数中设置相关寄存器，并将对应IO设置为XINTF外设使用。完成后，将程序下载到控制板，在CCS中通过“View—gt;Memory”进行在线调试查看，可以实时监测片外RAM中的数据变化，帮助调试和优化程序。

通过以上步骤，我们可以成功外扩RAM并进行调试，确保程序在DSP28335上正常运行。对于需要更大内存空间的应用，外扩RAM是一种有效的解决方案，同时也展示了对DSP芯片灵活性和扩展性的充分利用。

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