什么是空间电荷区 为什么掺杂浓度越低空间电荷区越宽？

为什么掺杂浓度越低空间电荷区越宽？

据公式，空间电荷区宽度(spacebatteryregionwidth)是和p型和n型参杂浓度(dopantconcentration)倒数之和成正比。但，若浓度比较低，空间电荷去宽度则较小，或且则反。因为，在浓度比较小的pn结中，空间电荷区会比较比较宽。

采取措施极限情况，当搀杂浓度为零时，金属内部仅有少量不可能发生电离，所以PN结内部的正负离子基本都也没，则空间电荷区不修真者的存在。

空间中点电荷的电势大小？

离正点电荷越远，电势越低；离负点电荷越近，电势越低。

pn结的空间电荷区具有什么特点？

pN结的主要特点是依靠电子或空穴的单方向导电性。

pn结的工作状态和条件？

我来回答我一种相对于简洁的答案，柯西-黎曼方程以上三个条件的被称PN结：

1、由P型和N型半导体外界而无法形成；

2、在它们的西南角面处不能形成空间电荷区；

3、两边呈弱酸性区。学半导体器件物理再生克制化老师解释学习总结出来的，如有表述事有蹊跷之处希望能不当之处。

pn结扩散区是耗尽区吗？

是扩散了电流与漂移电流的平衡吧，估计有啊，PN结空间电荷区是耗空区，我知道，但不属於耗空区里面就没有载流子（只是说载流子的浓度少了，总的电荷的代数和不为零，所以有一种了净电荷，才叫空间电荷区，而载流子浓度相比较P区，N区而言，少了很多很多，看起来像几乎耗尽了差不多，所以才叫耗空层，但不是什么没有。）

为什么温度升高vbe会减小 而ib增大？

温度升高,本证增强少子增加,在正向偏置的PN节中,会增加内电场,也就是空间电荷区变宽,被抵消一部分外电场,也就是vbe,故,vbe越小

VBE的变化将是从IB的变化影响大Q点。BJT的电流可以放大系数b会随温度的升高多少而会增大,这是毕竟温度升高后,减慢了基区吸纳载流子的扩散

剩余电荷密度是什么意思？

在电磁学里，电荷密度是一种度量，详细解释电荷其分布的密度。电荷密度又这个可以分类为线电荷密度、面电荷密度、体电荷密度。

假设电荷其分布于一条曲线或一根直棒子，则其线电荷密度是每单位长度的电荷量，单位为库仑/米(coulomb/meter)。打比方电荷其分布于一个平面或一个物体的表面，则其面电荷密度是每单位面积的电荷量，单位为库仑/米^2。举例电荷分布特点于一个三维空间的某区域或物体内部，则其体电荷密度是每单位体积的电荷量，单位为库仑/米^3。

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