2016 - 2024

感恩一路有你

怎样使用两步路的离线地图导航 STM32的SWD和串口ISP如何转?ST?

浏览量:3243 时间:2023-07-14 10:58:40 作者:采采

STM32的SWD和串口ISP如何转?ST?

RamIsp指的是先下载一段代码到SRAM中,然后用我自定义的协议进行真正的FLASH烧录。它可以摆脱STM32 自己的串口ISP,比如STM32 自己的串口ISP波特率115200bps以上等等。下载速度大大提高。配合更好的USB串口,460800bps可以稳定工作。而EP868是离线下载的,用RamIsp可以达到921600bps的稳定下载。连续烧录,该功能可以自动监控某个芯片是否通过串口连接。如果检测到芯片,它会自动开始燃烧。刻录后,可以使用语音提示,只需更换芯片或PCB,无需按 "开始编辑 "用鼠标按键(注意:未注册的版本只能连续刻录10片,所以可以关闭mcuisp再打开,可以连续刻录,呵呵)。当工程师需要自己烧几百块平板的时候,可以节省一些能源。持续燃烧取决于RamIsp,所以检查 "持续燃烧 "将自动检查 "RamIsp"; OptionByt

mbr膜清洗与维保方案?

第一部分

MBR膜组件的清洗方法主要有两种:在线维护清洗和离线化学清洗。

在线维护清洗

定期维护清洗去除膜表面的污染物,抑制污染层的增厚和跨膜压差的增加,从而达到稳定运行的目的。维护清洁期间,停止通风。

维护清洁的频率通常是一周一次。有效氯浓度为200 mg/L ~ 500 mg/L的NaClO从产水侧定量注入膜组件,注入时间为5 ~ 10min。注射后,静置浸泡30分钟。单位膜面积的用量为2 ~ 2.5L/m2,总用量需计算输送管道的容量。

维护化学清洗过程:

离线化学清洗

当日常在线维护清洗或抽吸压力超过设定值(即跨膜压差),且目前的两种清洗方法都不能恢复膜性能时,应进行离线清洗,将膜组件吊出,浸入专用清洗池中去除污染物,使膜性能恢复到接近初始值的状态。一般来说,浸泡清洗可以显著恢复膜的性能。离线清洗时,将整个膜组件或单膜浸泡在碱性清洗剂(有效氯浓度为2000-3000mg/L,pH为10~11-11的NaClO溶液)或酸性清洗剂(1-2%草酸或柠檬酸,0.1-0.5%硫酸或盐酸)中。浸泡时间为6 ~ 24 h

第二部分

膜通量的影响因素

污泥浓度对膜通量的影响

污泥浓度(MLSS)是影响膜通量的重要因素之一。一个。高MLSS可以保证有机负荷高峰期的出水水质,低峰期污泥可以自我消化(内源呼吸)。污泥浓度的增加会导致污泥粘度的增加和污泥通量的降低,阻碍氧气的转化,从而影响污泥的流动性和分离性能。

膜表面速度对膜通量的影响

膜表面速度对于膜通量来说,提高膜表面速度可以减少浓差极化引起的凝胶层厚度,从而降低膜过滤阻力,延缓和防止膜堵塞,维持稳定的膜通量。在运行中,要综合考虑能耗等各方面因素,进行优化。

膜堵塞的原因

主要有以下几点:

(1)膜内表面的MLSS增加,微生物的内源呼吸作用增强。由于污泥缺氧和厌氧呼吸,膜表面堆积了一层黑色物质,多为死细菌及其残渣。而且微生物内源呼吸产生的20%的残留物质难以降解;

(2)胞外聚合物(EPS)逐渐增多,对膜表面造成污染。胞外多糖是由微生物中的多糖、蛋白质、糖蛋白、脂蛋白等大分子组成。它们形成粘性基质,将细胞粘附到膜表面,并将生物膜保持在一起。EPS的增加导致膜表面形成凝胶层,降低了通量;

(3)堵塞膜表面的主要物质是微生物正常代谢产生的粘性多肽分子和蛋白质分子,含有活性基团的大分子物质可能与Ca2、Mg2、Fe3等金属离子相互作用,在膜表面形成凝胶层。

第三部分

膜清洗的注意事项

1.在线清洗时,当药液铺展到膜组件的整个表面时,保证药液与膜表面附着物的接触时间足够也是很重要的。此外,在注射液体药物期间和静置过程中,必须停止通气。如果继续曝气,药液会扩散稀释到整个池内,导致膜表面清洗效果低下。

2.离线清洗时,不要用高压水枪清除附着在膜表面的污泥,这样可能会对膜造成损伤。

3.无论是在线还是离线,当酸洗和次氯酸钠清洗同时进行时,在酸洗和次氯酸钠清洗之间应对膜帘和辅助设备进行充分清洗。当酸与次氯酸钠混合时,有产生有毒气体的危险,所以要小心。

4.清洗MBR膜时注意劳动保护。

原位/异位回收化学清洗工艺:

第四部分

MBR清洗步骤

MBR膜的离线清洗

MBR膜离线清洗时,将膜组件吊出膜池后,用清水洗去膜丝间的杂质,然后浸泡在次氯酸钠和氢氧化钠清洗液中12小时,再取出清洗,浸泡在柠檬酸清洗液中12小时。具体步骤如下:

(1)取出膜组件后,用清水冲洗膜丝间的杂物。如果清水冲洗不彻底,需要手动清除。将清洗后的膜组件浸泡在含有次氯酸钠和氢氧化钠的清洗液中,注意清洗。膜组件应该被池中的液位完全淹没。浸泡过程中,间歇开启曝气,目的是搅拌清洗液,将清洗下来的污染物与膜丝分离。

(2)浸泡12小时以上后,取出膜组件,用清水冲洗,放入清水膜池中接曝气管曝气,不要接吸水管。

(3)将膜组件从清水池中取出,放入柠檬酸膜池中,重复前两步。

(4)用柠檬酸清洗液清洗后,用清水冲洗,将膜组件放入池中,连接曝气管和吸水管。完成离线清洗。

内容参考网,侵删。

RamIsp 串口 烧录 ISP 芯片

版权声明:本文内容由互联网用户自发贡献,本站不承担相关法律责任.如有侵权/违法内容,本站将立刻删除。