stm32怎么把数据转换成内存 stm32boot有什么用？
stm32boot有什么用？
BOOT0和BOOT1用于设置STM32的启动模式:
一般情况下，如果要通过串口下载代码，必须将BOOT0配置为1，BOOT1配置为0。如果我们想让STM32一键闪存是电可擦闪存，也就是u盘，存储卡系统内存:指的是存储系统数据的存储区域，比如BIOS，嵌入式SRAM是一种静态存储数据的内存技术。你不 不需要像DRAM那样经常用电刷新，可以长时间保存数据位密钥，开始运行代码。需要将BOOT0配置为0，BOOT1可以随意设置。
STM32中，寄存器可按字、半字、字节的方式访问怎么理解？
这个问题有点混乱，因为ARM是32位的，它的寄存器都是按照32位预定义的。所以就ARM寄存器而言，都是32位读写。而FLASH的其他部分，如ROM、RAM等，可以按字、半字、字节读写。但也要注意效率的问题。
在某些ARM系统中，一次读写16位或32位甚至64位的效率是一样的，一次可以读取，但是读取8位数据可能会慢一些，占用更多的CPU时间。这就提醒我们，在使用ARM的时候，最好定义16位或者32位的变量，这些变量的特点是临时变量，没有必要定义8位的变量。
对于8位单片机来说，一次读写8位和16位的效率要比读32位好，这也是写程序时要注意的，虽然影响很小。
一个字是32位，一次处理4个字节长的数据。半字是16位，2个字节。字节是8位。与传统的arm相比，stm32最大的优势是不需要使用，三类数据可以无缝存储在内存中。但是传统的arm7或者arm9是按照地址对齐的，也就是说无论8bit还是16bit的数据，都要占用4个字节的空间，造成内存的浪费。
请教单片机掉电后，如何快速的保存数据问题？
针对题目的问题，我认为应该从以下几个方面着手:
尽量使用内部闪存存储数据。内部flash读写速度快，可靠性高。
如果使用外部flash或eeprom进行存储，flash通常是一个spi接口。考虑到电磁干扰和MCU的响应速度，即使使用MCU的硬件SPI模块进行通信，SPI的最大时钟也在1MHz左右，发送一个字节的数据大约需要10us。不考虑擦除闪存的时间，存储100字节的数据大约需要5ms。如果考虑可靠性，需要阅读和验证。
Eeprom一般采用IIC接口，类似于SPI接口。与高速IIC通信并存储100字节的数据至少需要5毫秒。
FLASH的特点是写数据只能从1重写到0，从0重写到1需要擦除整个页面，或者整个扇区，或者整个块。
以STM32F051为例。一个页面是1kb，一个块是64kByte。擦除一页大约需要20毫秒。在整个擦除过程中，整个MCU被挂起，即不执行任何操作。另一方面，闪存是一种快速写入操作，一个字节大约需要1us。
需要掉电检测电路，掉电检测需要检测给MCU供电的LDO或DC-DC的前级电压。
比如MCU采用12V-3.3V LDO供电，需要检测12V的电压来决定是否断电。
通过电阻分压12V的电压，然后连接到MCU的A/D检测口，判断是否断电。
MCU供电的LDO或DC-DC的前级并联足够的电容，保证电容的供电能保证MCU能写数据。
电容器的尺寸可通过以下步骤确定:
评估断电时前一电压提供的工作电流。一旦单片机检测到掉电，就需要切断耗电输出，比如控制继电器输出的I/O口。比如20mA。
确认LDO的最低输入电压，如5.3。
确认判断断电的电压，如10V，确认断电开始与LDO最低输入电压的电压差，如4.7V
确认写入所有数据所需的时间，例如20 ms。
根据公式CI*T/U20mA*20mS/4.7V85uF计算所需电容，可选择100uF的电容。
一旦MCU检测到掉电，需要切断耗电输出，比如控制继电器输出的I/O口需要立即断开。
在正常操作中，预先准备一个存储空间并将其擦除到0xFF中。
检测到掉电后，可以直接写入数据，无需擦除FLASH内容，可以节省大量时间。
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