低电阻率的衬底材料对器件的影响 光敏电阻可微光探测原理？
光敏电阻可微光探测原理？
光敏电阻的工作原理是基于组件内光电效应。当光敏电阻是被是有波长范围的光照时,它的阻值(亮电阻)剧烈增加,电路中电流逐渐增大。一般只希望暗电阻搞大点,亮电阻越小越好,此时光敏电阻的灵敏度高。
它是涂于玻璃底板上的一薄层半导体物质,半导体的两端装有金属电极,金属电极与做引线线端相再连接,光敏电阻就按照做引线线端接入电路。是为以免周围介质的影响,在半导体光敏层上完全覆盖了一层漆膜,漆膜的成分应使它在光敏层最敏感的波长范围内透射率最大。
第三代半导体外延片是什么？
是指在单晶基底材料上生长一层新单晶不能形成的产品,外延片判断器件约70%的性能,是半导体芯片的有用原材料。第三代半导体外延片另外半导体原材料,中部半导体产业链上游,是半导体制造产业的支撑性行业。第三代半导体外延片制造商在衬底材料上是从CVD设备、MBE设备等接受晶体外延生长、压制而成第三代半导体外延片。
oled薄膜内缩原因？
柔性高衬底的熔点很高，而OLED基板的工艺温度却很低，因为，在制作过程中柔性衬底会弯曲变形甚至熔化成。
就算是温度较低的环境中，具备柔性衬底尺寸也不很稳定，这给多层结构的OLED可以制作在不精确地整齐排列上给他了太大的困难。
替依靠熔点低的柔性衬底，不能在低温下淀积ITO导电薄膜，加工成的ITO导电薄膜电阻率高、透明度差，与柔性高衬底之间的粘附性不好，在弯曲时易折裂，导致器件失去效果。
砷化镓导热系数？
砷化镓的导热系数为44-58W/mK
砷化镓（galliumarsenide），化学式GaAs。黑灰色固体，熔点1238℃。它在600℃以下，能在空气中稳定点存在地，而且不被非氧化性的酸侵蚀。
化合物半导体是一种最重要的半导体材料。属Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体。属闪锌矿型晶格结构，晶格常数5.65×10-10m，熔点1237℃，禁带宽度1.4电子伏。化合物半导体于1964年直接进入实用阶段。gaas可以造而成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料，用处可以制作集成电路衬底、红外探测器、γ光子探测器等。由于其电子迁入率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和出口下高速数字电路方面我得到重要应用。
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