mos管测试的静态参数和动态参数 存储器分类及各自特点有哪些？
存储器分类及各自特点有哪些？
你好，根据不同的特点，内存分类有很多种分类方法。
(1)按工作性质/访问方法分类
？随机存取存储器(RAM)-每个单元都有相同的读写时间，不管每个单元的位置如何。如:内存。
？顺序存取存储器(SAM)-数据是从存储载体的开始按顺序读取或写入的，因此存取时间与信息的位置有关。比如:磁带。
？直接存取内存(DAM)——直接去读写数据块，按顺序读写数据块。例如磁盘。
？关联存储器-根据检索到存储位置的内容进行读写。比如:快表。
(2)按存储介质分类
半导体存储器:双极型，静态MOS，动态MOS。
磁性表面存储:磁盘、磁带。
光存储:CD，CD-ROM，DVD。
(3)根据信息的可修改性进行分类
读写存储器:可读可写
只读存储器:只读，不可写。
(4)根据断电后信息的可保存性。
非易失性(非易失性)存储器:在没有电源的情况下可以一直保存信息。
易失性存储器
(5)按功能/容量/速度/位置分类
？寄存器——封装在CPU中，用于存储当前执行的指令和使用的数据——由触发器实现，速度快，容量小(几个到几十个)。
？cache——位于CPU内部或附近，用于存储当前要执行的本地程序段和数据——由SRAM实现，可以匹配CPU的速度，容量很小(几MB)。
？内部存储器——位于CPU外部，用于存储启动的程序和数据——由DRAM实现，它速度快，容量大(几GB)。
？外部存储器——位于主机外部，用于存储暂时不活动的程序、数据或存档文件——由磁面或光存储器实现，容量大，速度慢。
mos管漏电流大小怎么测？
电阻法和电压法。
(1)电阻法电阻法是利用金属导体的电阻特性进行测量的，包括DC法和交流法。
1 DC测量原理当mosfet的栅极接一个DC电源时，由于mos晶体管的漏极和源极之间存在电位差，所以通过的电流与栅漏之间的电压成正比；另一方面，当栅极关断(相当于开路)时，mos晶体管处于无负载的静态(相当于开路)，其输出会呈现高阻态，因此可以通过改变外部电路的阻抗或调整输入信号的电平来控制输出电平。
2交流测量原理当mosfet的漏极接交流信号源时，由于信号的频率等于mos管的开关频率，即kωfs，所以可以通过改变外接阻抗值来控制输出。
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