跨时钟域会出现高阻态吗 stc12c5a60s2单片机主要技术参数？
stc12c5a60s2单片机主要技术参数？
STC12C5A60S2/AD/PWM系列单片机是宏晶科技生产的产品的单时钟/机器周期(1T)的单片机，是高速/低功耗/超强抗干扰的第2代8051单片机，指令代码已经兼容问题传统8051,但速度快8-12倍。内部集成主板MAX810专用复位电路,2路PWM,8路高速10位A/D可以转换(250K/S),因为电机控制，强干扰场合。
1.增强型8051CPU，1T，单时钟/机器周期，指令代码完全不兼容传统8051
2.工作电压：STC12C5A60S2系列工作电压：5.5V-3.3V(5V单片机)STC12LE5A60S2系列工作电压：3.6V-2.2V(3V单片机)
3.工作频率范围：0-35MHz，超过大多数8051的0～420MHz
4.用户应用程序空间8K/16K/20K/32K/40K/48K/52K/60K/62K字节
5.片上集成显卡1280字节RAM
6.通用I/O口(36/40/44个)，复位后为：准双向口/弱上拉(其它8051比较传统I/O口)，可设置成四种模式：准分流口/弱上拉，推挽/强上拉，仅为输入输入/高阻，开漏，每个I/O口驱动能力均可提升20mA，但整个芯片大最好别将近120mA
(在系统可编程)/IAP(在应用可编程)，无须有带编程器，不需要专用仿真器可按照串口(P3.0/P3.1)再上网下载用户程序，数秒即可完成大片
8.有EEPROM功能(STC12C5A62S2/AD/PWM无内部EEPROM)
9.内部集成显卡MAX810使用说明复位电路(外部晶体12M以下时，复位脚可直接1K电阻到地)
10.外部掉电检测电路:在P4.6口有一个低压门槛比较器，5V单片机为1.32V，误差为±5%,3.3V单片机为1.30V，误差为±3%
11.时钟源：外部高精度晶体/时钟，内部R/C振荡器(温漂为±5%到±10%以内)1用户在下载用户程序时，可你选择是使用内部R/C振荡器那就外部晶体/时钟，常温下内部R/C振荡器频率为：5.0V单片机为：11MHz～15.5MHz，3.3V单片机为：8MHz～12MHz，精度要求不高时，可选择建议使用内部时钟，但只不过有制造出来误差和温漂，以实际测试房屋登记薄
12.共4个16位定时器两个与传统8051兼容性的定时器/计数器,16位定时器T0和T1，没有定时器2，但有独立波特率发生器做串行通讯的
DDR3传输原理？
简单，芯片刚刚进入上电，在上电大于为200us的平顺电平后，在等待500usCKE使能，
在时间芯片内部正在状态初始化设置，该过程与外部时钟无关。在时钟使能信号前（cke），
可以保持大于10ns或是5个时钟周期，除了，还要一个NOP命令或是Deselect命令会出现在CKE的前面。
然后DDR3就开始了ODT的过程，在复位和CKE管用之前，ODT一直都为高阻。
在CKE为高后，耐心的等待tXPR(最大时复位CKE时间)，然后再又开始从MRS中读取数据模式寄存器。
然后再加载MR2、MR3的寄存器，来配置好不好应用形式设置里；然后再使能DLL，因此对DLL复位。
紧接着便是启动ZQCL命令，来正在ZQ校准过程。耐心的等待校准数据已经结束后，DDR3就直接进入了是可以都正常操作的状态。
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