mos管发热严重 mos管内阻rdon不良的原因？
mos管内阻rdon不良的原因？
产生不良影响原因:第一种：雪崩破坏
第二种：器件经常发热损坏
第三种：内置二极管彻底的破坏
第四种：由寄生振荡导致的破坏
第五种：栅极电涌、静电破坏
步进电机驱动器烧MOS管如何检修？
步进电机驱动器烧MOS管
现象若是启动，驱动器外接保险丝即烧坏，装置不能运行。维修人员在检查时，发现到一功率管已物理损坏，但的原因没有资料，闹不清该管的作用，认为是功率驱动的前置冲击，换上一功率管，通电后，保险再度被烧，戴上的管子亦硬件损坏。
经维修检查，精灵分析是对的，即保险一再被熔断，驱动器当然存在某一不算正常的大电流，并系统检查出一功率管损坏。但对该管的作用就没弄明白。虽然该管为步进电机电源驱动管，步进电机为高压起动，加之要无法承受高压大电流。静态动态检查，发现自己脉冲电流圆环形分配器的线路中，其电源到地端的阻值很小，但也就没短路或。
据线路中的元器件数量船舶概论功耗分析电源到地端的阻值不应如此之小，但怀疑线路中仅是元器件硬件损坏。通电检查，突然发现一芯片无比发热。突然断电后将该芯片的电源引脚被切断，静态检查，电源到地的阻置大小改变应属正常吗。测该芯片的电源到地的阻值很小。查该芯片的型号，为一非标型号，众多手册中是没有查到。
经线路结论，去确认其为该板中的比较多元件：环形脉冲分配器。为及时去确认该芯片的问题，首先换耐压电流功率蛮的步进电动机电源驱动管，重新恢复该芯片的电源引脚，用自行发光二级管电路得用步进电机各绕组作模拟真实负载。通电后，会发光二级管皆亮，即各绕组皆通电，这是不符合线路具体的要求的，键入步进脉冲无反应，而最后确认该芯片已硬件损坏。
但该芯片市场上没有，在驱动器壳体内空间愿意的情况下，区分了组合线路即用手头上已有的D触发器和与非门的组合设计了一个圆环形脉冲发生器，制作在一个小印制板上，全部拆除原芯片将小印制板按照引脚装在原芯片的焊盘上。仍用发光二极管作演示负载电流，通电后加人步进脉冲电流按相序依次不发光。需要拆除设计模拟负载电流，接入主机，通电，设备运行正常。
三极管和MOS管做开关管时，一般怎么选择？
三极管和MOS管大都很广泛的电子元器件，两者都是可以以及电子开关管使用，并且很多场合两者也是可以不共用建议使用的。三极管和MOS管充当开关管时，有很多相似之处，也有不同之处，这样在电路设计时，两者之间该怎么中,选择呢？
三极管有NPN型和PNP型，同理可证MOS管也有N沟道和P沟道的，三极管的三个引脚四个是基极B、集电极C和发射极E，而MOS管的三个引脚四个是栅极G、漏极D和源极S。下文以NPN三极管和N沟道MOS管为例，下图为三极管和MOS管操纵原理。
▲NPN三极管与N-MOS管当开关管原理
（1）控制差别，三极管是电流型控制元器件，而MOS管是电压压制元器件，三极管导通所需的控制端的输入电压特别要求较低，就像0.4V~0.6V以上就这个可以实现程序三极管导通，到时转变基极限流电阻去掉决定基极电流。而MOS管为电压操纵，导通所需电压一般4V~10V左右，且提升到饱和现象时所需电压一般6V~10V左右。在再控制电压较低的场合一般建议使用三极管才是开关管，也也可以先不使用三极管充当缓存完全控制MOS管，比如说单片机、DSP、powerPC等处理器I/O口电压较低，仅有3.3V或2.5V，就像绝对不会再控制MOS管，电压较低MOS管难以导通或内阻太大内耗大而达过了具体效果，情况下象建议使用三极管控制。
（2）输入阻抗完全不同，三极管的输入阻抗小，MOS管的输入阻抗大；结电容都不一样，三极管的结电容要比MOS管大，动作相对应上MOS管要比三极管快那些；稳定性方面MOS管更优，三极管的少子组织导电，比较很容易被温度影响，噪声较高，而MOS管是多子导电，噪声小，热稳定性能好。
（3）MOS管内阻很小，小点的几十mΩ，小的只有一几mΩ，比如4mΩ、2mΩ等，而三极管的导通压降完全不变，好象为0.3V~0.6V左右，所以我一般在小电流场合也很比较喜欢使用MOS管，内阻小压降低，可是大电流场合就像可以使用三极管，.例如几百A，或上千A哪怕几千A的电流时，使用三极管其导通电压应力只有0.3V~0.6V左右，而在用MOS管就算内阻很小，但是电流很大，压降依旧太大，比如电池内阻2mΩ，电流1000A，这样电压降战锤2V，功耗太大，高达2000W，在用三极管功耗只有一300W~600W左右，电流越大其差异越的确，所以我在汽车、高铁等几千安培的大电流场合，是区分三极管作为开关管的。
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