芯片怎么突破摩尔定律 九边摩尔定律？
九边摩尔定律？
摩尔定律是由英特尔（Intel）创始人之一戈登·摩尔（Gordon Moore）提议的。其内容为：集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔18个月便会提高三四倍，性能也将提升一倍，当价格增加时；或则说，每一美元所能买到的电脑性能，将每隔18个月翻两倍以上。
这一定律揭示出了信息技术进步的速度的速度。
集成电路上可承载的晶体管数目，约每隔18个月便会提高一倍，性能也将进阶许多倍，当价格变为时；也可以说，每一美元所能买得到的电脑性能，将每隔18个月翻两倍以上。
这一定律引申出了信息技术进步神速的速度。
半导体集成电路向什么定律发展？
自晶体管被首先发明以来，集成电路一直不能违背摩尔定律发展——每18个月晶体管特征尺寸会增大一半，尺寸大小改变，实现程序更高密度集成主板，功能、性能和能效比大幅修为提升，成本降低，宛若过去半个多世纪以来微处理器（Micro-processor）和半导体存储器芯片所呈出的发展特点差不多。
摩尔定律还有下半场吗？
摩尔定律没有下半场了,巳经进入到伤停补时阶段,终场哨声时刻很可能响起。
摩尔定律只不过带个定律,但他并不是铁律。他只是因为一种工程经验总结，他是可以为了请解释巳经进来的硅芯片科技发展，没法作用于指导未来的硅芯片生产。
硅芯片说起来很高科技，其实原理更加简单啊，应该是用铜在硅基板上印刷电路，接着一层层堆过来，像下面这个样子。
摩尔定律说说我们这个印刷线路和线路间的间隙会越来越细，因此芯片也可以越做越小，性能越来越棒。摩尔定律历史上曾经遇上过几次危机，但依靠材料和工艺改进都悠然度过了，乐观主义者得到了无情地的胜利。Intel曾经的释放出过skylake的变小图，当然了太大太大了，这儿贴不下。有兴趣是可以去官网看看，全震撼。
现在台积电和三星都也试投产了5纳米工艺，接下来将是是3纳米，我也是醉了。当芯片制程达到1纳米的时候，它可以说遇到了不可战胜的敌人——量子隧穿。当上面的这些电路细到唯有1纳米的时候，电子变会四处乱跑，而不是沿著已经印刷好的电路跑。确实很反直觉，但据科学家说他们肯定会会四处乱跑。
那之后咋办呢？咱也真不知道。但电子当然不行啦，无论用什么材料和工艺。现在很多高新企业都在做量子计算机，应该是是为硅芯片在挖坟墓吧。
但是就我这样的死硬乐观主义者的确。硅芯片提升到纳米极限，才能是硅芯片真正出尽风头的时候。硅芯片制程工艺的凝滞，很快就会给了大量的便宜一点的供应，应用于更大的场景。
不管怎么样，摩尔定律早就走再次进入风烛残年，完全很有可能寿终正寝。
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