光刻机技术到头了用什么替代 量子通信能代替光刻机吗？
量子通信能代替光刻机吗？
量子通信不能不能可以用光刻机。
光量子芯片需不要光刻机呢？我很很想说，不必须，让ASML一旁凉爽去吧！但，不用光刻机，用什么呢？微观光路和零器件的制造，应该离不开光刻机的，我还是那句老话，总没法用手盘他吧！由于光量子芯片跟传统的芯片都一样，不需要设计更复杂的元器件，比如说激光光源、滤波装置、波导、量子态调控装置和单光子检测器等等。
冰刻技术，在理论和技术上能实现现在的EUV光刻机的精度吗？
冰刻技术完全也可以实现方法与EUV光刻机相当的精度。只不过要利用这个精度，可以让电子束直写光刻机的的分辨率提升纳米级别才行。
其实“冰胶电子束”的效率是远远的比不上“光刻胶光刻机”的。是因为要让水蒸气凝化在晶片上，还需要在零下五度140℃进行，再者不使用的我还是电子束刻机，要一点一点的通过雕刻那速度比较好慢。从制造效率上来看，这种冰刻技术是不妨光刻机的。而冰刻的分辨率要注意取决于你电子束刻机，不过电子束直写光刻机的精度已经达到了10纳米左右甚至还以下的精度，但是国内电子束直写光刻机的精度在1微米，还是没有都没有达到纳米级别。实际上，冰刻技术只是将化学的光刻胶换了了水蒸气罢了。
早在2018年，就先发布了冰刻系统，这次的冰刻则是其升级版，比较多是将原料生产为成品。导致比较传统的光刻胶一类化学试剂，在光刻结束后还要接受刷洗，可以清洗不很干净的话都会会造成良品率下降。而可以使用水蒸气凝固代替民间的光刻胶之后，就不未知彻底清洗不乾净这类问题了。
在电子束的作用下，被凝固的水蒸气是可以再液态消失而不可能残留在晶片上，这样一来就肯定不会会造成晶片被大气的污染了，这是冰胶相对而言传统光刻胶的优势的地方。只不过可以使用冰胶前，要将晶片放在零下20度140℃的真空环境中，给其降温后，再通入水蒸气。比起传统的光刻胶来说，就多了这样一个步骤。估计当水蒸气瞬间凝固在晶片上之后，从拿去，到光刻结束之前都要在0℃以下的环境中进行操作，要知道温度达到0℃，融化的水蒸气就有可能液化作水，这也是相对于民间光刻胶的一个缺点。
由于冰刻系统的分辨率与电子束直写光刻机的分辨率有关，只要电子束直写光刻机的分辨率也可以达到EUV光刻机的分辨率，那么可以使用冰刻系统加工生产的芯片的制程工艺就这个可以都没有达到EUV光刻机的生产芯片的制程工艺。
不过，现在世界上分辨率最高的电子束直写光刻机能够掌握在日本的JEOL和Elionix这两家公司手中。其中JEOL公司制造出来的的JBX-9500S电子束直写光刻机的套刻精度为11纳米，最大值分辨率在0.1纳米左右。而Elionix公司可以制造ELF10000电子束直写光刻机的分辨率为100纳米。而国产品牌BGJ-4电子束直写光刻机的分辨率为1微米，由此可见，就算建议使用了冰胶，在立足于国内电子束直写光刻机的前提下，是达将近国产货SSA600/20的分辨率，更就算是赶上EUV光刻机了。
我国碳基芯片的发展还是马上的，基本都与美国的技术相差无几。目前的碳基芯片早就进阶到了3纳米，而我国正准备向0.5纳米进发。碳基芯片的性能要比悠久的传统的硅基芯片强不少，基本是90纳米的碳基芯片性能应该是28纳米的硅基芯片，45纳米的碳基芯片应该是7纳米的硅基芯片。但是，碳基芯片依旧要都用到光刻机，现阶段国内制程工艺最小的光刻机也停留在90纳米，而可以使用冰胶的电子束直写光刻机还在微米层。因为说，接下来冰刻技术对国内碳基芯片的帮助并非很大。
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