半导体超声波扫描缺陷分析 光刻技术优缺点？

光刻技术优缺点？

目前世界上的半导体基本都是用光刻技术生产的。光刻技术生产半导体的优点是生产效率高，产量大，可以大规模生产。缺点是生产设备昂贵，一条28nm的生产线需要投入几百亿！而且光刻技术生产芯片要消耗大量的能源！生产线越先进，能耗越大！

半导体前道检测设备的重要性？

量产前检测对象为制程中的晶圆片，是检测产品每一步制程后的制程参数是否符合设计要求，检查晶圆片表面是否存在影响良率的缺陷，以确保制程线良率控制在规定水平以上的物理和功能测试。

预痕迹检测包括膜厚测量设备、OCD临界尺寸测量、CD-S

ptc半导体锅炉优缺点？

优势:

1.铝板更加致密，加热速度快，热效率高；

2、健康环保无需粘合剂粘合；

3、不氧化，使用寿命长；

4、水电分离，无水干烧不会损坏，更安全。

5、体积小不占空间，拆装方便。

6.节能省电。

7、可以同时满足取暖和热水的需求。

缺点:

1.故障率高；

2、发热盘容易堵塞；

3、价格较高；

4.热衰减相对较快。

sic二极管的优缺点？

碳化硅二极管的优势

1.宽带隙提高了工作温度和可靠性。

宽带隙材料可以提高器件的工作温度。SiC的带隙高达3.0eV，对应的本征温度高达800℃。即使是带隙最窄的3C-SiC，其带隙也在2.3eV左右，碳化硅作为成功器件使用时，其最高工作温度可能超过600℃，而硅的带隙为1.12eV，理论最高工作温度为200℃。然而，硅功率器件的结温高于150℃~175℃后，其可靠性和性能指标明显降低。

2.高击穿场强提高了耐压并减小了尺寸。

高电子击穿场强导致半导体功率器件的击穿电压增加。同时，由于电子击穿场强的增加，在增加杂质掺杂浓度的情况下，可以减小碳化硅功率器件漂移区的宽带，从而减小功率器件的尺寸。

缺点高导热率提高了功率密度，增加了功耗。

半导体 器件 功率 缺点 制程

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