flash如何编辑场景顺序 在FLASH中怎样建立两个场景？
在FLASH中怎样建立两个场景？
从“窗口”菜单拿定主意，“场景”面板在“窗口”—“其他面板”菜单下。你每次首先按住“直接添加场景”，我们就为FLASH添加了一个新场景，我们是可以从上方的场景列表内看见了场景的名称，通过拖拽“场景”，我们还可以不根据情况“场景”前后的顺序。
flash和norflash区别？
1、存储架构相同
NOR Flash整体架构需要提供足够的地址线来映射整个存储器范围。这能提供了随机访问和短读取文件时间的优势，这使其成为代码执行的我们的理想选择。那个优点是100％试求的零件寿命。缺点除了减小的单元尺寸造成每比特的较高成本和较慢的写入到和删除区域速度。
与NOR闪存而言，NAND闪存更具更小的单元尺寸和更高的读取和擦除速度。缺点和较慢的读取速度和I/O映射类型或主动接口，这更急切并且不允许洗技能访问。值得注意的是，NAND Flash中的代码执行是按照将内容映射到RAM来实现方法的，这与真接从NOR Flash不能执行代码完全不同。
2、存储容量差别
与NOR闪存比起，NAND闪存的密度要高得多，要注意是而且其每比特成本较低。NAND闪存通常本身1Gb至16Gb的容量。NOR闪存的密度范围从64Mb到2Gb。导致NAND Flash具备更高的密度，而通常应用于数据存储应用。
3、橡皮檫/读写相同
NAND闪存中的擦除操作非常简单点，而在NOR闪存中，每个字节在擦除数据之前都不需要写入到“0”。这以至于NOR闪存的删除区域操作比NAND闪存慢得多。的或，NAND闪存S34ML04G2必须3.5ms才能擦除128KB块，而NOR闪存S70GL02GT则是需要约520bs来橡皮檫相似的128KB扇区。
4、能耗相同
NOR闪存在初始上电期间大多必须比NAND闪存更多的电流。只不过，NOR Flash的待机电流远少于NAND Flash。两个闪存的瞬时有功功率也是非常。因此，有效功率由存储器活动的减弱时间判断。
整体来看，NOR Flash在随机读取方面具备优势，而NAND Flash在擦除数据，写入文件和读取速度操作中消耗的功率要比比较低。
NOR的特点是芯片内执行（XIP,eXecuteacrossPlace），这样的应用程序可以不直接在flash闪存内正常运行，无须再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具备很高的成本效益，可是比较低的写入文件和擦除数据速度大大会影响了它的性能。
NAND结构能提供给极高的单元密度，是可以都没有达到高存储密度，而且写入和删除区域的速度也马上。应用NAND的困难只在于flash的管理是需要特殊能量的系统接口。
NOR NAND 速度 NOR Flash NAND Flash
版权声明：本文内容由互联网用户自发贡献，本站不承担相关法律责任.如有侵权/违法内容,本站将立刻删除。
