fet和三极管的对应关系 三极管和MOS管，开关速度谁快呀？

三极管和MOS管，开关速度谁快呀？

Mos晶体管(场效应晶体管)导通电压降低，导通电阻低，栅极驱动不需要电流，损耗低，驱动电路简单，自带保护二极管，热阻好，适合大功率并联，开关速度低，成本高。

三极管开关速度高，大三极管的ic可以做得很大，缺点是损耗大，基极驱动电流大，驱动复杂。

场效应晶体管和三极管晶体管的比较:

1)场效应晶体管是电压控制元件，而二极管是电流控制元件；

2) FET之所以称为单极器件，是因为它利用多数载流子导电，三极管之所以称为双极器件，是因为它既有多载流子又有少载流子导电。

3)场效应管的灵活性比三极管好；

FET的制造工艺更适合集成电路。

Mosfet类似双极三极管，电极对应关系是bg，es，CD。由fet构成的放大电路也类似于三极管放大电路。三极管放大电路的基极回路需要一个偏置电流(bias curr

ld贴片三极管性能参数？

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c3055三极管参数？

C3055三极管为PNPN四层三端器件，参数工作电压36V，工作电流10A，额定功率18W。最大漏源电流:16A漏源击穿电压:600V它不仅要有良好的静态特性，还要有良好的动态特性。

快速晶闸管的动态参数要求开通速度和开通扩展速度快，反向恢复电荷少，关断时间短，通态电流临界上升率(dI/dt)高，关态电压临界上升率(dV/dt)高。

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