mos场效应管工作原理 MOS效应？

MOS效应？

MOS场效应管有起到型（EnhancementMOS或EMOS）和耗空型(MOS或DMOS）两大类，每一类有N沟道和P沟道两种导电类型。场效应管有三个电极：D(Drain)称做漏极，也是非常双极型三极管的集电极；G(Gate)称为栅极，相当于双极型三极管的基极；S(Source)称作源极，超过双极型三极管的发射极。

mos管是什么原理，起什么作用的？

MOS管的原理：

它是凭借VGS来控制“感应电荷”的多少，以变动由这些“感应电荷”连成的导电沟道的状况，然后把至少再控制漏极电流的目的。在制造管子时，按照工艺使绝缘层中再次出现大量正离子，故在交接处面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通后，无法形成了导电沟道，就算是在VGS0时也有减小的漏极电流ID。当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也变化，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而转变。

作用：

1、可应用到于放大电路。的原因MOS管放大器的输入阻抗很高，所以耦合电容可以容量较小，没有必要可以使用电解电容器。

2、很高的输入阻抗的很更适合作阻抗变换。常作用于28级放大器的输入输入级作阻抗跳跃。

3、可以除用可变电阻。

4、可以方便些地使用较多恒流源。

5、可以除用电子开关。

简介：

mos管，即在集成电路中绝缘性场效应管。是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。也可以称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是这个可以加减的，是在P型backgate中连成的N型区。在多数情况下，这个两个区是完全不一样的，就算是连接导线连起来也绝对不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称中心的。

结构特点：

MOS管的内部结构如下图所示其导通时只能一种极性的载流子(多子)联合导电，是三极四线型晶体管。导电机理与小功率MOS管是一样的，但结构上有减小区别，小功率MOS管是纵向导电器件，功率MOSFET大多常规互相垂直导电结构，又称做VMOSFET，大吓增强了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。

n沟道mos管

p沟道mos管

其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此本身很高的然后输入电阻，该管导通时在两个高浓度n扩散了区间自然形成n型导电沟道。n沟道提高型MOS管需要在栅极上压力奔来偏压，且唯有栅源电压大于1阈值电压时才有导电沟道才能产生的n沟道MOS管。n沟道耗干型MOS管是指在不加栅压(栅源电压为零)时，就有导电沟道产生的n沟道MOS管。

沟道 MOS 栅极 mos 效应

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