si的晶格常数和半径关系 磷化镓的介绍？
磷化镓的介绍？
化合物半导体磷化铟镓(GaP)具有优异的电学性能。
磷化镓是第二代半导体材料，广泛应用于光通信、集成电路等领域。
5G时代的技术创新带来了第二代半导体材料的蓬勃发展，如磷化镓(GaP)、砷化镓(GaAs)。
根据物理性质，半导体材料可分为三代，即以Si、Ge为代表的第一代，以GaP、lnp、GaAs为代表的第二代，以GaN、SiC为代表的第三代。
磷化镓(GaP)是一种具有闪锌矿晶体结构的III~V族化合物，晶格常数为5.87×10-10 m，带隙为1.34 eV，室温下迁移率为3000 ~ 4500 cm2/(V·s)。
GaP晶体具有饱和电子漂移速度高、抗辐射能力强、导热性好、光电转换效率高的优点。
它广泛应用于光通信、高频毫米波器件、光电集成电路和外层空间用太阳能电池。
硅掺入硼是什么半导体？
掺硼硅形成P型半导体
p型半导体是通过向半导体中掺杂受主杂质而获得的。由P型半导体或N型半导体单体组成的产品包括热敏电阻、压敏电阻和其他电阻。由P型和N型半导体组成的单结半导体元件，最常见的是二极管；另外，F
碳化硅晶体结构？
作为C和si唯一稳定的化合物，SiC的晶格结构由两个密集排列的亚晶格组成，每个Si(或C)原子通过定向的强四面体SP3键与周围的C(si)原子结合。SiC的四面体键虽然很强，但是层错形成能很低，这就决定了SiC的多型现象。已经发现SiC具有超过250种多型体，并且每个多型体具有C/Si双原子层。
最常见的多型体是立方3C碳化硅和六方4H，6H碳化硅。不同的多型体具有不同的电学和光学性质。
led外延材料的基本要求？
结构特性好，外延材料和衬底的晶体结构相同或相似，晶格常数失配小，结晶性能好，缺陷密度低。
2、界面特性好，有利于外延材料成核，附着力强。
3、化学稳定性好，在外延生长的温度和气氛中不易分解和腐蚀。
4.良好的热性能，包括良好的导热性和较小的热失配。
5、导电性好，可制成上下结构。
6、光学性能好，制作的器件发出的光被衬底吸收少。
7.良好的机械性能和器件的易加工性，包括减薄、抛光和切割。
8、价格低
9、大尺寸，一般要求直径不小于2英寸。
选择衬底同时满足以上九个方面是非常困难的。因此，目前只能通过改变外延生长技术和器件加工。工艺调整以适应不同衬底上半导体发光器件的开发和生产。氮化镓研究的衬底材料很多，但目前能用于生产的衬底只有三种，分别是蓝宝石Al2O3、碳化硅SiC衬底和Si衬底。
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