珠海英诺赛科几轮融资(英诺赛科发展前景怎么样？)

英诺诗妮是哪个国家的？

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Innosecco是一家公司，致力于在打造世界级的功率半导体品牌，为民族半导体产业的快速发展贡献力量。Innosecco(珠海)科技有限公司是由海归团队于2015年12月发起，数十位海内外精英共同创办的第三代半导体电力电子器件研发和生产的高新技术企业。公司的第一阶段 s项目位于珠海国家高新区，已建成国内首条8英寸硅基氮化镓外延及芯片量产线。

英诺赛科发展前景怎么样？

inno seco苏州第三代半导体基地位于江苏省苏州市吴江区胡芬高新区，总面积24.5万平方米。是江苏省重点项目，一期总投资60多亿元。该项目预计今年年底进入试生产阶段。Innoseco相关负责人表示，氮化镓功率芯片的投产填补了高端半导体器件的产业空白，也意味着制约 美国第三代半导体产业已经被打破。

英诺赛科发展前景怎么样？

英诺赛科成立于2017年，是一家致力于研发和生产的高科技企业；amp第三代半导体硅基氮化镓的研发和生产。Innoseco采用IDM模式，整合研发；ampd、设计、外延生长、芯片制造、测试和失效分析，成功搭建硅基氮化镓产业链平台，涵盖30-900V功率半导体器件、IC和RF器件。创新科技公司 30V-650V硅基氮化镓系列芯片已经推出并量产，成为全球唯一能够同时量产低压和高压硅基氮化镓芯片的企业。旗下拥有英诺赛(苏州)半导体有限公司和英诺赛(珠海)科技有限公司两家控股子公司。

2015年12月，Innoseco建造了一个8英寸的硅基氮化镓研发中心；amp投资超过20亿元的珠海研发和生产基地。目前生产线运行稳定，产品源源不断出货。苏州8英寸硅基氮化镓研发中心建设；amp2018年在苏州吴江开工建设d和生产基地，项目投资60亿元。苏州项目一期于2020年9月完成厂房基本建设和生产设备搬迁，2020年12月实现试生产。预计2021年3月正式投产。项目建成后，将成为全球最大的8英寸硅基氮化镓生产线。全线投产后，将形成年产78万只功率控制电路和半导体电力电子器件的生产能力，

目前，Innoseco总人口近千人，成功聚集了国内外硅基氮化镓领域的顶尖人才。核心技术团队均来自国际一流半导体企业，具有丰富的硅基氮化镓产业化经验，专业领域涵盖:宽禁带半导体器件原理及器件设计、硅基氮化镓及碳化硅外延产业化技术、硅基氮化镓及碳化硅功率器件、射频器件产业化技术、MOCVD设备技术。

打破国际垄断

创新科技公司。;的主要产品包括30种V-650V硅基氮化镓功率和射频器件。其中30V-650V系列芯片产品已经上市并量产。高压650V器件可用于汽车、工业电机等行业，低压30V-200V器件可用于数据中心、自主激光雷达等战略性新兴行业。Innoseco是世界上唯一能够同时量产低压和高压硅基氮化镓芯片的企业。可以全面支撑上述行业关键功率芯片应用的供应，打破国际垄断。

Innoseco与华为、浪潮、小米、OPPO、DJI、比亚迪、何塞科技、安赛米、MPS等国内外厂商开展了深度合作，并开发了功率器件和射频器件的应用。

Innoseco告诉，基于该公司 美国高压氮化镓芯片已全面推向市场，Innoseco成为唯一一家为手机提供氮化镓芯片快充的公司，打破了美国公司在该领域快充芯片的垄断，公司 标准普尔InnoGaN "氮化镓功率器件产品已经出货数百万。

创新科技公司。;美国低压氮化镓产品已经取代美国EPC公司的产品，成为 美国领先的激光雷达企业，沃赛科技，实现国产替代。

此外，Innoseco还成功开发了面向数据中心的低压氮化镓电源管理芯片产品，可以替代原有的硅器件，大幅提高系统效率，降低能耗和运营成本。

Innoseco与国内最著名的5G射频基站提供商开展了广泛的战略合作，积极研发面向5G基站的硅基氮化镓射频芯片，并计划于2021年开始小批量生产，逐步实现5G应用中射频器件的国产化。

力量显示肌肉

Innoseco表示，该公司采用8英寸硅基氮化镓生产工艺，与其他生产线相比，该公司的成本 s 8寸生产工艺更低，工艺流程更好，器件可靠性提高。

Innoseco联合德国 s Aixtron MOCVD(G5)和8英寸CMOS兼容晶圆制造线，解决了化合物半导体晶圆制造成品率低、产能小、工艺不稳定的产业化技术瓶颈，成功实现了8英寸硅基氮化镓器件的大规模量产。

此外，Innoseco利用IDM产业链模型成功搭建了8英寸硅基氮化镓产业链平台，涵盖研发；ampd、设计、外延生长、芯片制造、测试和失效分析。公司通过自主研发，攻克了氮化镓单晶材料在8英寸硅片衬底上外延生长的世界级难题，在国际上首次实现了8英寸硅基氮化镓材料和器件的大规模量产，同时填补了国内在该领域的空白。

值得一提的是，Innoseco在全球首次成功实现8英寸硅基氮化镓量产技术，技术领先全球。这项批量生产技术在国内首次实现，解决了国家 突破了第三代半导体领域的瓶颈，实现了零的突破。Innoseco产品全部拥有自主核心知识产权。到目前为止，Innoseco在国内外申请了250多项核心专利。

第三代半导体登上了历史舞台。

自20世纪60年代以来，国际半导体工业经历了两个时代:第一代锗硅器件和第二代砷化镓器件。目前，电子器件主要基于传统的硅半导体。经过几十年的发展，器件的性能已经达到硅材料的上限，不能满足进一步提高电能转换效率的要求，不能满足5G通信、数据中心、汽车等领域对器件的高电压、高效率、高能量密度、高可靠性的要求。因此，以氮化镓为代表的第三代半导体器件正逐渐登上历史舞台。

Innoseco表示，由于成本因素，目前氮化镓功率器件的市场渗透率不到1%。未来，技术进步将推动氮化镓功率器件成本快速下降，逐渐成为中低压功率半导体市场的主流产品。氮化镓功率器件凭借其高频特性和功率转换效率，有望拥有强劲的增长潜力，有望在功率半导体领域取代硅功率器件。而随着新能源汽车、5G通信、数据中心、高速轨道交通的快速发展和 "新的基础设施和，氮化镓功率器件必将面临更广阔的市场。

无论从技术发展趋势、应用导向还是国家政策来看，第三代半导体氮化镓都具有非常广阔的市场前景。作为世界上最大的半导体消费市场， 在市场风口到来、行业布局火热加码等利好因素下，美国国内第三代半导体产业正在推进。随着相关企业不断扩大产能、降低生产成本、提高产品可靠性，国产第三代半导体器件在下游应用市场的渗透率将与日俱增，国产替代将得以实现。

Innoseco将一如既往地坚持创新研发，为 "新的基础设施和加快5G通信和数据中心等新基础设施建设，助力 标准普尔核心 "以创新驱动发展为突破口，在庞大的半导体产业中实现进术和产品的替代，让成为世界 在制造第三代半导体硅基氮化镓方面，美国排名第一。

英诺赛科发展前景怎么样？

前景很好，朝阳产业，待遇好。

Innoseco成立于2017年，是一家致力于研发的高科技企业；amp第三代半导体硅基氮化镓的研发和生产。Innoseco采用IDM模式，整合研发；ampd、设计、外延生长、芯片制造、测试和失效分析，成功搭建硅基氮化镓产业链平台，涵盖30-900V功率半导体器件、IC和RF器件。

英诺赛科发展前景怎么样？

有很好的发展前景。它是由半导体制成的。

原因如下。第一，自身产品的研发和量产是企业的根本。以前送样品给国货的机会不多，现在很多客户都愿意尝试。在这种情况下，我们需要保证自己的产品质量和创新能力，需要打铁还需自身硬。

第二，加快合作。通过与上下游厂商的合作，进一步优化生产。产品设计，制造技术，完善生态链建设。

第三，加快公司发展。利用好市场环境，加快融资步伐，实现快速发展，夯实基础。

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