闪存和硬盘的区别(请教硬盘和闪存的差别？)
请教硬盘和闪存的差别？
硬盘和闪存的区别主要体现在使用寿命不同，输出接口不同，性能不同，容量不同。
1.使用寿命不同：硬盘的使用寿命高于闪存，因为闪存是有使用寿命的，比如100万次写入。
2.输出接口不同：闪存通常的输出接口是USB，SSD是sata接口或者其他接口，比如SATA SSD、msata SSD、M.2 SSD等。
3.性能不同：性能差别很大。普通闪存产品一次只能读或写一个操作，因为闪存颗粒的电压变化受主控影响，通常只有一个；SSD的主控比较复杂，可以同时控制不同的电压变化。阅读和写作几乎没有影响，可以同时进行。
4.容量不同：闪存通常是单个闪存区组，偶尔两个区组作为双通道，SSD是多区组，所以闪存通常容量较小，而SSD可以从容量比较大的开始，比如256G SSD。
硬盘存储和闪存的原理和区别是什么？
1.闪存的存储原理：
(1)闪存在由浮栅晶体管组成的存储单元阵列中存储数据。在单层单元(SLC)器件中，每个单元仅存储1位信息。
通过控制各种电荷值，多级单元(MLC)器件可以在每个单元中存储多于1位的数据。
(2)除了晶体管具有两个栅极而不是一个栅极之外，闪存的每个存储单元类似于标准MOSFET。顶部是控制栅极(CG)，就像其他MOS晶体管一样。但是在它下面是通过氧化层与周围环境绝缘的浮栅(FG)。该FG位于CG和MOSFET通道之间。因为这个FG在电学上独立于绝缘层，所以进入的电子将被捕获在内部。
正常情况下，多年后电荷不会逃逸。
当FG捕捉到电荷时，它部分地屏蔽了来自CG的电场，并改变了该电池的阀电压(VT)。在读出期间。当电压达到CG时，MOSFET沟道将导通或保持绝缘。
这取决于单元的VT(并且单元的VT由FG上的电荷控制)。
该电流流经MOSFET通道，以二进制代码的形式读取和再现存储的数据。
在每个单元存储超过1位数据的MLC器件中，为了更精确地测量FG中的电荷水平，通过感应电流的量(而不是仅仅存在或不存在)来实现。
(3)逻辑上，单层NORFlash单元在默认状态下代表二进制码中的“1”值，因为当用特定的电压值控制栅极时，电流会流过沟道。
通过下面的过程，可以将NORFlash单元设置为二进制代码中的“0”值。2.硬盘的存储原理：
(1)硬盘是一种使用磁介质的数据存储设备，数据存储在密封在干净的硬盘驱动器腔内的若干个磁盘上。
一般来说，这些磁盘是通过在基底表面涂覆磁介质而形成的。在磁盘的每一面，以一定磁密度为旋转轴的几个同心圆划分成磁道，每个磁道又划分成几个扇区，数据按扇区存储在硬盘上。
每边对应有一个读写头，所以不同头相同位置的所有磁道构成所谓的柱面。
传统的硬盘读写是通过柱面、磁头和扇区进行寻址的(CHS寻址)。
硬盘通电后，一直高速旋转。头臂上的磁头悬浮在磁盘表面，通过步进电机可以在不同的柱面之间移动，对不同的柱面进行读写。
因此，如果硬盘在通电时剧烈震荡，磁盘表面容易被刮伤，磁头也容易损坏，这将给磁盘上存储的数据带来灾难性的后果。
(2)硬盘的第一个扇区(磁道0，磁头1扇区)保留为主引导扇区。
主引导区主要有两个内容：主引导记录和硬盘分区表。
主引导记录是一段程序代码，主要用于引导安装在硬盘上的操作系统。硬盘分区表存储硬盘的分区信息。
计算机启动时会读取这个扇区的数据，判断其合法性(扇区最后两个字节是0x55AA还是0xAA55)。如果合法，它将跳转执行该扇区的第一条指令。
所以硬盘的主引导区往往是病毒攻击的对象，被篡改甚至破坏。可引导标志：0x80是可引导分区类型标志；0表示未知；1 FAT12；4是FAT16；5分区进行扩展等。
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