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可编程逻辑器件 可编程逻辑器件与单片机的优缺点?

浏览量:2968 时间:2022-12-14 15:22:40 作者:

可编程逻辑器件 可编程逻辑器件与单片机的优缺点?

可编辑逻辑器件一般分为哪四种?

可编程逻辑器件一般分为只读存储器ROM、可编程掩膜存储器PROM、紫外线擦除可编程存储器EPROM和电擦除可编程存储器EEPROM四种可编程逻辑器件。

可编程逻辑器件的发展史?

70年代:出现只读存储器PROM (Programmable Read only Memory),可编程逻辑阵列器件PLA (Programmable Logic Array)70年代末:AMD推出了可编程阵列逻辑PAL (Programmable Array Logic)80年代:Lattice公司推出了通用阵列逻辑GAL ( Generic Array Logic)80年代中:Xilinx公司推出了现场可编程门阵列FPGA (Field Programmable GateArray )。Altera公司推出了可擦除的可编程逻辑器件EPLD (Erase Programmable LogicDevice),集成度高,设计灵活,可多次反复编程90年代初:Lattice公司又推出了在系统可编程概念ISP及其在系统可编程大规模集成器件ispLSI)现以Xilinx、Altera、Lattice为主要厂商,生产的FPGA单片可达上千万门、速度可实现550MHz,采用65nm甚至更高的光刻技术。

可编程逻辑器件与单片机的优缺点?

简单地说,可编程逻辑器件是在硬件结构的基础上直接进行运算,优点在于运算速度快,比如加减法都有逻辑门电路直接运算 单片机采用的是寄存器或ram存储变量 然后对他们在ram中进行数据处理,速度没有PLC快 对于一些高速算法 或者运算量较大 用PLC或者FPGA的优势明显

15芯片逻辑功能是什么?

逻辑芯片又叫可编程逻辑器件,英文全称为:programmable logic device 即 PLD。PLD是做为一种通用集成电路产生的,他的逻辑功能按照用户对器件编程来确定。一般的PLD的集成度很高,足以满足设计一般的数字系统的需要。

计算类芯片也称逻辑电路,是一种离散信号的传递和处理,以二进制为原理、实现数字信号逻辑运算和操作的电路, 它们在计算机、数字控制、通信、自动化和仪表等方面中被大量运用。逻辑电路可以分为标准化和非标准化两大类。

逻辑芯片和存储芯片的区别?

储存特别dram,越往下做越难。首先是工艺的限制,量产的工艺有多小就能用多小。但是储存芯片不行,电容得大,sa这些东西得准。小不是最重要的。

其次逻辑芯片集成度相对来说更低,同样情况下产量肯定更高。

第三就是逻辑芯片的犯错空间比较大,小和快就够了,储存吃准确度,工艺做得到设计不一定敢这么做。

逻辑芯片和存储芯片的区别?

逻辑芯片又叫可编程逻辑器件,英文 PLD。PLD是做为一种通用集成电路产生的,他的逻辑功能按照用户对器件编程来确定。一般的PLD的集成度很高,足以满足设计一般的数字系统的需要。

存储芯片,是嵌入式系统芯片的概念在存储行业的具体应用。因此,无论是系统芯片还是存储芯片,都是通过在单一芯片中嵌入软件,实现多功能和高性能,以及对多种协议、多种硬件和不同应用的支持。

逻辑芯片和存储芯片的区别

逻辑芯片的工艺目前还在20nm左右,比如Intel的CPU,而存储芯片都已逼近10nm,比如闪存,到底2者有何不同?

1) 差异:两种芯片工艺的不同主要是由两种芯片的核心部件-晶体管的结构/工作模式的差异造成,可参考半导体器件相关的书籍和论文。

2) 尺寸:从gate length这个指标来看,你说的没错,2D NAND Flash的uncontacted poly的half pitch目前已经优于14/16nm FINFET的Lg。根据ITRS 2015数据,前者为15nm,后者为24nm。[1]

3) 命名:但需要说明的是,半导体工业界对逻辑产品(MPU/ASIC)和非挥发存储器(Flash)的工艺节点(technology node)的命名是不同的。在相当长1段时间内,前者用的是contacted metal line的half pitch,后者用的是uncontacted poly(floating gate)的half pitch。前者的physical Lg实际上比节点数字更小,而后者中的SL/BL的Lg比节点数字更大。[2]

4) 新结构:然而3)中的定义方式随着近几年新型器件的步入市场也发生了变化,如FINFET和3D NAND。以2)中所举例的14/16nm FINFET工艺为例,其contacted metal line的half pitch为2⑧nm,而非标称的14/16nm。而3D NAND的节点命名已改为minimum array half pitch,约为⑧0nm。[1]

5) 估算:由于标称节点数字与实际工艺参数之间的差异,以及各家公司的命名也存在差异,易造成混乱,于是ASML给出了1个估算式,可以根据各家公司的实际工艺参数推算出1个与标称节点数字相近的数字,目前为业界所普遍采用。[3]

6) 先进度:目前,两种芯片的结构存在较大差异,且各自有各自的评价方式,所以并不好说谁的工艺技术更先进,只能说分别在自己的道路上追求更加极致的性能。

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