tech什么意思 三星12GB LPDDR4X uMCP芯片有着怎样的特点？
三星12GB LPDDR4X uMCP芯片有着怎样的特点？
作为先进内存技术的全球领导者，三星今天宣布了业界首个基于UFS多芯片封装（UMCP）的12gb lpddr4x内存解决方案。
除了为中端市场客户提供10GB以上的内存解决方案外，这种高容量UMCP还可以使用业界首款24GB lpddr4x芯片。
（说明：三星）三星内存部门副总裁sewon Chun表示：凭借三星领先的24GB lpddr4x芯片，它不仅可以为高端智能手机提供最高的12gb移动DRAM容量，而且有助于开发下一代移动存储解决方案。
通过这种方式，三星可以支持其智能手机制造客户，并为全球更多用户带来更好的智能手机体验。
值得一提的是，三星7个月前刚刚推出了基于16GB DRAM的12gb lpddr4x封装。现在，该公司很快提交了一个12gb的UMCP解决方案。
通过将四块24GB lpddr4x芯片（采用最新的1y nm工艺）和超高速eufs 3.0 NAND闪存组合成一个封装，新的移动内存可以突破目前8GB的封装限制（提供10GB），为智能电脑打开更广阔的市场。
随着屏幕尺寸和分辨率的不断发展，越来越多的用户在运行数据密集型任务或多任务处理时将受益于三星的UMCP解决方案。
新推出的12gb UMCP容量是之前8GB套餐的1.5倍，数据传输速率为4266 Mbps，可支持流畅的4K视频录制，让中档智能机也能享受到人工智能（AI）和机器学习（ML）的好处。
最后，三星计划快速增加10GB lpddr DRAM的容量，以满足全球智能机械制造商对高容量存储解决方案日益增长的需求，同时加强其在行业市场的竞争优势。
如何看待三星宣布7nm EUV工艺量产？
今天，三星将举办三星科技日活动，活动重点包括7Nm EUV工艺、smartssd（FPGA SSD）、数据中心qlc SSD、256gb 3DS rdimm内存。与我们关系最密切的是7Nm EUV工艺的批量生产。三星表示，7Nm LPP优于现有10nm LPP FinFET工艺，可实现面积能效提高40%、性能提高20%、功耗降低50%的目标。
目前，纳米技术遇到了一个极限问题，这主要是由制造设备引起的。具体地说，光刻机的分辨率受到限制。如果想要描绘宽度只有几纳米的细线，对光源聚集性能的要求非常高。分辨率越高，线条越细越清晰。所有的光源都有衍射问题。为了克服衍射问题，我们必须用较短波长的光来描述晶体管掩模。
早就使用了汞光源。经过100-80nm工艺后，采用248nm的KrF光源，此后又采用193nm的ARF光源。然而，对于7Nm以下的工艺，需要一种新的EUV光源，波长可以降低到13nm，这被认为是7Nm工艺的重要组成部分。
目前，三星宣布已完成全套7Nm EUV工艺的技术工艺开发和生产线部署，并进入量产阶段。这意味着整个制造过程可以简化40%，LPP可以降低20%。
因此，7Nm EUV工艺是半导体制造的关键节点。大多数半导体制造商会在这个过程中停留很长时间（比如改名，另一件事）。在未来，5nm和3nm工艺将更难解决。半导体材料的物理极限而不是光源极限是“简单的”。
三星还表示，7Nm LPP工艺将在韩国花城的S3工厂启动，并将在2020年前开通一条新的生产线，以满足市场需求。猜猜哪款产品将率先使用7Nm EUV技术？
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