什么是响应时间 如何进BIOS设置修改内存的响应时间？

如何进BIOS设置修改内存的响应时间？

调整内存模块的响应时间，进入CMOS主界面，选择【芯片组功能设置】，可更改以下参数：SDRAM RAS to CAS delay：此项控制SDRAM内存模块的RAS（行地址选通）与CAS（列地址选通）之间的延迟时间，默认值为3。

尝试将其更改为2。如果它不稳定，把它改回3。SDRAM Ras预充电时间：此项为内存行地址选通脉冲的预充电时间。默认值为3。它用于控制刷新SDRAM之前Ras预充电所需的时钟周期数。您可以将预充电时间设置为2，这样可以提高内存的性能。如果不稳定，回到3。SDRAM CAS延迟时间：设置内存的CAS延迟时间。如果您的内存模块质量良好，并且速度规格为10ns（包括高于此标准的内存模块），则可以尝试将原来的3更改为2。如果系统不稳定，则改回3。注意：更改此选项要求内存模块的质量非常好，如果质量不好，很容易出现死机、自动重启、非法操作等故障。如果存在不稳定性，则应将这些值更改回原始值。

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