静态存储器和动态存储器的区别 静态存储器与动态存储器的定义是什么？

静态存储器与动态存储器的定义是什么？

根据生产过程，内存分为静态内存和动态内存。静态存储器（SRAM）具有读写速度快、生产成本高等优点，主要用于小容量的高速缓存。动态存储器（DRAM）：读写速度慢，集成度高，生产成本低，主要用于大容量主存储器。静态存储器和动态存储器的主要性能比较如下表所示：静态和动态存储器芯片特性比较sramdram存储器信息触发电容破坏性读取不需要刷新，不需要同时发送行地址和列地址两次发送，运行速度快、速度慢、集成度低、热值大、存储成本高、动态内存周期性刷新低：当不进行读写操作时，每个单元的DRAM内存都处于断电状态。由于存在泄漏，存储在电容器CS上的电荷将慢慢泄漏。因此，必须定期补充，这就是所谓的刷新操作

静态存储器是指依靠双稳态触发器的两个稳定状态来存储信息的存储器。双稳态电路是一种有源器件，需要电源才能工作。只要电源正常，就可以长期稳定地保存信息，所以称为静态存储器。如果电源关闭，信息将丢失，这属于易失性存储器，即volatile。动态存储器是指在特定功能或应用软件之间共享的存储器。如果一个或两个应用程序占用了所有的内存空间，就不可能为其他应用程序分配内存空间。存储器控制电路需要根据一定的时间段刷新存储器以保持数据存储。

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