flash校验地址错误0h 烧录NAND Flash程序时校验为什么提示出错？

烧录NAND Flash程序时校验为什么提示出错？

NAND闪存不同于普通的闪存结构。由于NAND flash的特点，位反转时有发生，所以烧录时要注意ECC。位反转是指NAND闪存中位的变化，即从1到0或从0到1。例如，很容易反转32GBIT和2GBIT的容量。位反转产生的原因有几个：漂移效应：漂移效应是指NAND闪存中单元的电压值变化缓慢，与初始值不同。编程干扰引起的错误：这种现象有时被称为过度编程效应。对某一页的编程操作，即写操作，会导致其他不相关页的位跳变。读操作干扰引起的错误：这种影响是当读一页时，相应位的数据永久地改变，即NAND flash上的位的值改变。T如果在烧录过程中没有设置相应的ECC，则在验证过程中发现NAND flash中的数据与原始数据不同，烧录会提示错误。解决方法是在燃烧前设置ECC。例如，smartpro6000f plus就是这样设置的，如下图所示。

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