flash烧录是什么意思 烧录NAND Flash程序时校验为什么提示出错?
烧录NAND Flash程序时校验为什么提示出错?
NAND闪存不同于普通的闪存结构。由于NAND flash的特点,位反转时有发生,所以烧录时要注意ECC。位反转是指NAND闪存中位的变化,即从1到0或从0到1。小容量的Nandflash不易产生位反转,如1GBIT和2GBIT,而大容量的Nandflash容易产生位反转,如32GBIT。位反转产生的原因有几个:漂移效应:漂移效应是指NAND闪存中单元的电压值变化缓慢,与初始值不同。编程干扰引起的错误:这种现象有时被称为过度编程效应。对某一页的编程操作,即写操作,会导致其他不相关页的位跳变。读操作干扰引起的错误:这种影响是当读一页时,相应位的数据永久地改变,即NAND flash上的位的值改变。T如果在烧录过程中没有设置相应的ECC,则在验证过程中发现NAND flash中的数据与原始数据不同,烧录会提示错误。解决方法是在燃烧前设置ECC。例如,smartpro6000f plus就是这样设置的,如下图所示。
4G的NAND Flash要用什么样的烧录器?
从你的模型来看,这是一个很大的nandflash。很容易烧录错误,这表现为验证过程中的错误。实际上,原因是编程位的反转,导致验证失败。我看到我的朋友有一台ZLG致远电子的SmartPro 6000f燃烧器。在设置中,可以设置反向换位,非常方便。我建议你试试。截图如下:
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