norflash没有坏块吗 nor flash和nand flash的区别？

nor flash和nand flash的区别？

NAND flash和NOR flash是flash芯片的两种主要类型，应用非常广泛。这两种芯片都是非易失性存储器，可以擦除、写入和重新编程存储单元。它们在阅读速度、书写速度、容量、不良速度、擦除次数、适用性等方面存在明显差异。

nor flash是如何读写数据的？

闪存是一种非易失性和电可擦除半导体存储器。最早的可擦除半导体存储器是EPROM，它需要紫外线。后来出现了EEPROM，但擦除电压远高于工作电压，速度相对较慢。Flash的出现，擦除可以采用接近读取电压的方法来实现，而且擦除速度比较快，因此使用本词汇表。这是一种半导体技术。在半导体技术方面，主要的区别是需要核对相关资料。最早的闪存是nor型，即有地址线和数据线，这与ram接口非常相似。当地址线添加地址信号时，存储在闪存中的数据将在数据线上读出。但是，如果这种结构需要存储大量的数据，就会产生大量的地址行和数据行，不适合存储大量的数据。后来，NAND闪存可用于存储大量数据，它采用块读写模式，具有大容量、减少引脚和相对成本。这种闪存可用于固态硬盘、手机等程序存储器。

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