xtw100编程器使用教程 烧录NAND Flash程序时校验为什么提示出错？
烧录NAND Flash程序时校验为什么提示出错？
NAND闪存不同于普通的闪存结构。由于NAND flash的特点，位反转时有发生，所以烧录时要注意ECC。位反转是指NAND闪存中位的变化，即从1到0或从0到1。小容量的Nandflash不易产生位反转，如1GBIT和2GBIT，而大容量的Nandflash容易产生位反转，如32GBIT。位反转产生的原因有几个：漂移效应：漂移效应是指NAND闪存中单元的电压值变化缓慢，与初始值不同。编程干扰引起的错误：这种现象有时被称为过度编程效应。对某一页的编程操作，即写操作，会导致其他不相关页的位跳变。读操作干扰引起的错误：这种影响是当读一页时，相应位的数据永久地改变，即NAND flash上的位的值改变。T如果在烧录过程中没有设置相应的ECC，则在验证过程中发现NAND flash中的数据与原始数据不同，烧录会提示错误。解决方法是在燃烧前设置ECC。例如，smartpro6000f plus就是这样设置的，如下图所示。
用WINFLASH刷主板BIOS的时候出现BIOS二进制文件校验和错误。请问可有解决办法？
1. 请确保新的BIOS必须属于您的主板
]（不要认为看同一型号就可以使用，同一型号的主板有不同的版本）
2。确保下载的BIOS没有损坏，即使型号和版本是相同的，然后你可以刷它
3。有些主板刷新工具有校验功能，要求BIOS的大小、版本、硬件代码正确，可以使用刷新工具的“强制刷新”参数随时刷新
4。为了提醒您，请使用BIOS刷新工具备份BIOS中的旧BIOS文件并存储它们。如果刷错了，可以把旧的刷回去。如果损坏了，您也可以卸下BIOS芯片，使用旧的BIOS文件为他人提供帮助
xtw100编程器使用教程 flash校验错误地址 编程器烧录后校验出错
版权声明：本文内容由互联网用户自发贡献，本站不承担相关法律责任.如有侵权/违法内容,本站将立刻删除。
