z24n场效应管参数 irf9z24n可以用什么代替？

irf9z24n可以用什么代替？

Irfpf40=900v/4.7A N沟道场效应管可由具有相同或稍大参数的同一类型场效应管代替。

IRFZ24N可以用F9Z24N代换吗？

两种型号均为n通道。irf630的工作电压（200V）远高于irfz24n（55v），最大允许功耗（75W）也高于irfz24n（45V）。然而，irfz24n的最大漏极电流（17a）约为irf630（9a）的两倍，导通电阻（0.07欧姆）远小于irf630（0.4欧姆）。它们各有优缺点。是否可以更换取决于实际情况，并给出了相关参数的要求。

IRFZ44N可以用什么代换？

Irfz44n可替换为irfz46n。

Irfz44n（60V、35A、150W）可替换为irfp054（60V、65A、180W）；irfp064（60V、70A、300W）；irfp260（200V、46a、280W）。

irfz44n的基本参数：

1晶体管极性：N沟道

2晶体管编号：1

3晶体管类型：MOSFET

4漏极电流，ID Max:49A

5电压，VDS Max:55v

6导通电阻，RDS（导通）：0.024欧姆

7电压，VGS最大值：21V

8功耗：83w

9封装类型：TO-220AB

10针编号：3

11设备标记：irfz44npbf

12针截面距离：2.54mm

全功率温度：25°C

热电阻，接头至外壳a:1.8°C/w

电流，ID连续：41a

电流，IDM脉冲：160A

表面贴装器件：via贴装

引脚格式：1G

阈值电压，VGS th典型值：4V

irfz46n:n沟道大功率MOS晶体管。这就是场效应晶体管。参数：id=53a；PD=107w；VDS=55v；RDS=Irfz44n:n沟道大功率MOS晶体管，即场效应晶体管。参数：id=55A，PD=83w，VDS=55v，RDS=0.024欧姆。如果电路要求不严格，可以更换。

IRFZ44N可以用什么管代换？

Irf640是一种n沟道MOS功率晶体管，参数为18a、200V、0.180欧姆、n沟道功率MOSFET。Irf640属于Vishay的第三代功率mosfet。Irf640为设计师提供了快速转换、耐久性、低阻抗和高效率的强大组合。带TO-220封装的Irf640一般适用于功耗约50W的工商业应用，低热阻、低成本的TO-220封装使Irf640在业界得到广泛认可。D2Pak封装中的irf640适用于芯片安装。与现有的芯片封装相比，它具有最高的功耗和最低的导通阻抗。irf640的D2Pak封装适合大电流应用。irf640的To-262适用于低端通孔安装。

IRF640是什么管子？

irf630编辑此部分的基本参数：晶体管极性：n漏极电流，ID最大值：9A电压，VDS最大值：200V开路电阻，RDS（开）：0.4ohm电压@RDS测量：10V电压，VGS最大值：3V功耗：100W封装类型：TO-220引脚数：3电源，PD:100W封装类型，替换：sot-78b引脚螺距：2.54mm时间，TRR典型值：170ns晶体管数量：1晶体管类型：MOSFET全功率温度：25°C电容值，CISS典型值：540pf电流，IDM脉冲：36a表面贴装器件：via安装引脚格式：1g 2插座D 3S阈值电压，VGS th最小值：2V阈值电压，VGS th最大值：4V

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