ttl集成电路的逻辑功能与参数测试 门电路逻辑符号？

门电路逻辑符号？

它的逻辑功能没变，但还是存在的。

AB1和T5导通，输出端为低电平Y0。只要A和B中有一个为0，T5关断，输出端为高电平5V(TTL与非门输出高电平YvOH3.6V)，Y1。把T4换成R4，明明逻辑功能没变，速度却大打折扣。如果R4不在集成电路内部(T5的集电极处于开路状态)，在使用OC门集成块时，用户必须选择一个合适的电阻值，在门的输出端和电源之间连接Rc，这样OC门才能有稳定的逻辑功能(如果不连接Rc，让它集电极开路，电路就不会有正常的逻辑功能)。这种电路简称为集电极开路门-OC门。

ttl反相器的用途？

Ttl反相器是ttl电路的基本环节。ttl集成逻辑门的输入输出结构均采用半导体三极管，故称为晶体管-晶体管逻辑门电路，简称ttl电路。Ttl反相器可以看作是改变了输入电路和输出电路结构的bjt反相器。

TTL反相器由输入级、输出级、中间级或驱动电路三部分组成，可以实现反向操作。

cmos反相器和ttl反相器特点？

高低电平差别大，抗干扰能力强，而TTL差别小，抗干扰能力差。

4、CMOS功耗很小，TTL功耗大(1 ~ 5ma/门)

的工作频率略低于TTL，但高速CMOS的速度与TTL相差无几。

的噪声容限大于TTL。

7.一般认为TTL门的速度高于CMOS门。影响TTL门电路工作速度的主要因素是内部管的开关特性、电路结构和内部电阻值。电阻值越大，工作速度越低。管道的开关时间越长，门的工作速度越低。门的速度主要体现在 "传输延迟和延迟输出波形相对于输入波形的tpd。tpd和空载功耗P的乘积称为 "速度-功耗乘积，这是器件性能的重要指标。值越小，器件性能越好(一般在几十皮焦(10-12)左右)。与TTL门电路不同，影响CMOS电路工作速度的主要因素在于电路外部，即负载电容CL。CL是影响器件工作速度的主要原因。由CL决定的CMOS门的传输延迟约为几十纳秒。

电路是电流控制器件，而coms电路是电压控制器件。

二，使用CMOS的注意事项

1)COMS电路是一种电压控制器件，它的输入总电阻很大，捕获干扰信号的能力很强。因此，不使用的引脚不应悬空，而应连接一个上拉电阻或下拉电阻，使其保持恒定电平。

2)当输入端接低内组信号源时，应在输入端和信号源之间串联一个限流电阻，将输入电流限制在1mA。

3)当信号传输线延长时，COMS电路端接一个匹配电阻。

4)当输入端接大电容时，应在输入端和电容之间间接保护电阻。电阻值为RV0/1mA。V0是外部电容上的电压。

5)如果COMS的输入电流超过1mA，可能会烧坏COMS。

3.什么是图腾柱？什么？;它和开漏电路有什么区别？在TTL集成电路中，有上拉晶体管的输出称为图腾柱输出，没有上拉晶体管的输出称为OC门。因为TTL是三级通，图腾柱是两个三级管推挽连接。所以推拉是图腾。一般图腾输出，高等级400UA，低等级8MA IV。CMOS电路的锁定效应是什么？由于电流输入过多，COMS电路内部电流急剧增加，除非切断电源，否则电流一直在增加。这种效应就是锁定效应。发生锁定效应时，COMS内部电流可达40mA以上，容易烧坏芯片。防御措施:

1)在输入和输出端增加箝位电路，保证输入和输出不超过规定电压。

2)将去耦电路添加到芯片的电源输入端，以防止VDD端的瞬时高电压。

3)在VDD和外部电源之间加一个线电流电阻，don 即使电流很大，也不要让它进来。

4)当系统分别由几个电源供电时，开关应按如下顺序:接通时，先接通COMS电路的电源，再接通输入信号和负载的电源；关机时，先关输入信号和负载的电源，再关COMS电路的电源。

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