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GTO（gate-turn-off-thyristor）是一种功率半导体器件，可以通过栅极开关控制器件。它的容量仅次于普通的晶闸管。其应用的关键技术之一是门极驱动电路的设计。

门极驱动电路设计不当，常导致GTO晶闸管损坏，门极关断技术应引起特别重视。门极关断晶闸管GTO具有较大的电压和电流容量，接近普通晶闸管，因此在兆瓦级以上的大功率应用中仍有广泛的应用。

GTO驱动电路的特点是：GTO要求驱动电路提供的驱动电流前沿具有足够的幅值和陡度，一般需要在整个导通期间施加正栅极电流，而关断时需要施加负栅极电流，需要更高的振幅和陡度。其驱动电路通常包括三部分：导通驱动电路、关断驱动电路和栅极反向偏置电路。

IGBT（绝缘栅双极晶体管），IGBT的特点是：驱动电路输出电阻小，IGBT为电压驱动器件，IGBT由专用混合集成驱动器驱动；GTR驱动电路的特点是：驱动电路提供的驱动电流具有陡峭的前沿和一定的超调量，可以加速导通过程，降低导通损耗；在关断时，MOSFET（metal-oxide-semiconductor-field-effect-transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）驱动电路的特点是：要求驱动电路小、驱动功率小、电路简单。

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